中环领先申请单晶电阻率控制方法专利有效提升掺杂后单晶电阻率的稳定性
作者:小编 | 发布时间: 2026-02-08 | 次浏览
国家知识产权局信息显示,内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请一项名为“单晶电阻率控制方法、装置和电子设备”的专利,公开号CN121451280A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本申请公开了一种单晶电阻率控制方法、装置和电子设备,属于单晶制备技术领域,用于通过预先制备的外延母合金片对目标单晶进行掺杂,外延母合金片包括本征硅衬底和设于本征硅衬底上的外延层,外延层具有外延电阻率,该方法包括基于目标单晶的单晶参数、外延电阻率和目标电阻率,确定外延层的有效投入重量;基于外延层的有效投入重量,及外延层在外延母合金片中的占比,确定外延母合金片的目标投入重量。本申请能够有效提升掺杂后单晶电阻率的稳定性。
天眼查资料显示,内蒙古中环领先半导体材料有限公司,成立于2017年,位于呼和浩特市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本130000万人民币。通过天眼查大数据分析,内蒙古中环领先半导体材料有限公司参与招投标项目12次,专利信息109条,此外企业还拥有行政许可17个。
中环领先半导体科技股份有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析,中环领先半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目348次,财产线条,此外企业还拥有行政许可227个。
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